磁阻效應（magnetoresistance effect）

        半導體材料的電阻率隨著磁場強度的增強而加大,這種現(xiàn)象稱磁阻效應。磁阻的產生是由于有磁場時載流子的運動發(fā)生偏轉,它從一個電極到另一電極所走的路程比起沒有磁場時要長,所以電阻就增大。實際上,磁阻與載流子在材料中散射(碰撞)的細致規(guī)律和具體的能帶結構有關。通常載流子遷移率隨磁場強度的增大而減小,于是電阻率就增加。在弱磁場下,材料電阻相對變化率正比于磁場強度B的平方。在強磁場下,材料電阻相對變化率與 B成正比。

磁阻位移傳感器（magnetoresistance displacement sen-sor）

        用磁阻元件檢測位移的傳感器。檢測位移的方法有兩種。第一種方法是在有梯度的磁場中設置磁阻元件,元件由于位置不同而承受的磁場有差異,故電阻值不同，根據電阻值變化便可檢測出位移。第二種方法,兩個磁阻元件僅各自的一部分受磁場作用,若移動永久磁鐵,則一個磁阻元件所受磁場減少,電阻值隨之減少，而另一個磁阻元件所受磁場增加,電阻值隨之增加,兩個磁阻元件差動地工作,根據永久磁鐵移動而產生的模擬輸出即可確定位移。第二種方法已廣泛應用。磁阻位移傳感器的特點是非接觸檢測位移。